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如何实现STM32直接寻址flash

归档日期:07-13       文本归类:直接寻址      文章编辑:爱尚语录

  1.STM32的Flash不是NandFlash. NandFlash的位跳转比较厉害,必须加上一定的校验和备份机制才能很好地应用。

  2.STM32的Flash可以用于存储代码,也可以用于存储数据。一般来说我们会将代码保存在从Flash开始的区域中,余下的部分用来保存数据(你的参数就可以保存在这个部分,该部分的大小取决于Flash的大小和代码占用空间的大小)。

  3.STM32对Flash的操作必须遵循一定的步骤,可以参看“STM32F10xxx Flash 编程”手册,当然你可以直接调用STM32的库函数来操作。擦除必须以PAGE(页)位单位,写(编程)必须以Word(两字节)为单位,只用时0xFFFF的地方才能被正确地写入。

  配置了读保护之后,Flash中的代码和数据无法通过JTAG和RAM中的程序读出,起到了加密的作用。

  配置写保护是以页(或多页)为单位的,配置之后无法被擦除或修改,加强了代码的可靠性。

  读保护和写保护都是在自己的程序中配置的。你可以在第一次运行程序是配置相关选择字。

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